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Á¦¸ñ ¼¼¹Ì³ª-±èÅ°æ-[Â÷¼¼´ëIT-À¶ÇÕ¼ÒÀç ¿¬±¸¼Ò]
date 2018-12-12
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Â÷¼¼´ëIT-À¶ÇÕ¼ÒÀç ¿¬±¸¼Ò ¼¼¹Ì³ª ¾È³»

¡Û ¼¼¹Ì³ª¸í: Ralization of high power dimmable GaN-based LEDs by integration with AlGaN/GaN HFETs via flip-chip bonding

 ¡Û °­»ç¸í: ±èÅ°æ (¹Ú»ç°úÁ¤)

¡Û ÀÏ ½Ã : 2018³â 12¿ù 13ÀÏ(¸ñ) ¿ÀÈÄ 5½Ã

¡Û Àå ¼Ò : Â÷¼¼´ëIT-À¶ÇÕ¼ÒÀç ¿¬±¸¼Ò 206È£ °­ÀǽÇ

¸¹Àº Âü¼® ¹Ù¶ø´Ï´Ù.

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